繼臺積電之后，又一家半導體晶圓代工龍頭進軍第三代半導體。
據臺灣經濟日報今天報道，聯電已通過投資聯穎，切入第三代半導體領域。聯電方案從6寸氮化鎵（GaN）產物入手，之后將展開布局碳化硅（SiC），并向8寸晶圓成長。公司揭露，第三代半導系統程將從CMOS轉換而來，前程將乘機擴產。
聯電表明，由于目前業內較少廠商或許提供GaN整體解決計劃，正在構建專業平臺，由聯電、聯穎共同研發，聚焦電子、射頻微波等利用，預測來歲將導入IC設計客戶。
另有，聯電更與比利時微電子研討中央（IMEC）攜手，開展第三代半導體研發。后者是環球著名孑立公眾研發平臺、半導體業內指標性研發機構，英特爾、三星、臺積電、高通等均與其有配合。
值得一提的是，聯穎有望成為聯電第三代半導體的重要生產陣地。聯穎此前主營業務便是6寸晶角子 老虎機 技巧圓，但永劫間處于吃虧狀態，產能應用率也處于較低程度。但上年下半年以來，業績好轉，產能連續滿載，來歲產能有望較本年翻倍增長。
能源專業革命向質料領域滲入 第三代半導體打開增漫空間
除聯電之外，行業鏈其余廠商也沒有錯過第三代半導體這一契機。
龍頭臺積電在GaN投入長年，目前已小批量提供6寸晶圓代工辦事。同時，公司針對車用領域，與意法半導體配合開闢GaN制程，而Navitas（GaN花費市場龍頭）、GaN Systems等廠商角子老虎機 意思也已老虎機 是 什麼在臺積電投片，生產高壓功率半導體器件。
世界進步已展開8寸GaN on Si研發，已有過份10家客戶進行產物設計，臺灣電吃角子老虎機 音效子時報指出，該專業可信性與良率已靠攏量產階段。
就在上周，硅晶圓廠商全球晶公佈，來歲將大幅擴產第三代半導體，GaN及SiC產能均將翻倍增長。
各路廠商爭相布局的背后，是新能源汽車、5G等新興行業突起和雙碳目的帶來的浩蕩增量空間。
SiC方面，其背后重要驅動力與新能源汽車親密相連。老虎機 五龍爭霸據三安光電副總經理陳東坡預測，在2023-2024年，長續航里程的車型根本上80-90、甚至100都將導入SiC器件。同時，高壓快充平臺則是另一個需要增長點，目前車企打造800V高壓平臺都是從IGBT入手，以SiC器件代替硅基IGBT。
GaN則重要用于5G射頻器件、功率器件等，市場空間同樣備受青睞。
總體來說，目前第三代半導體仍處于成長初期，解析師以為內地企業與國際巨頭差距相對較小，對后來者也較為有利。
